根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3d nand闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为bics-5。

据介绍，芯片将实现tlc，而不是更新的qlc。这可能是因为nand闪存制造商仍然对qlc芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。

据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 mb / s增加到132 mb / s。据报道，该芯片还采用了cua（阵列电路），这是一种设计创新，节省了15%的芯片尺寸。